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2SK1359(F)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3 PN
數量：: 6606
說明：: MOSFET N-Ch FET RDS 3.0 Ohm IDSS 300uA VDSS 1kV

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2SK1359(F) PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：50
上升時間：18 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-3 PN
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.8 Ohms
漏極連續電流：5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK1359(F)的詳細信息，包括2SK1359(F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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