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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C3.8 歐姆 @ 2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）3.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C4A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 700pF @ 25V
功率 - 最大100W
安裝類型通孔

以上是2SK1119(F)的詳細信息，包括2SK1119(F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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