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2SJ665-DL-1EX

廠家:
  onsemi
封裝:
 TO-263-2
數(shù)量:
 5940  
說明:
 MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
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2SJ665-DL-1EX-TO-263-2圖片

2SJ665-DL-1EX PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:150°C(TA)
功率耗散(最大值):65W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4200 pF @ 20 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):74 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):-
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):77 毫歐 @ 14A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):27A(Ta)
漏源電壓(Vdss):100 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:P 通道
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:散裝
品牌:onsemi

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