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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：54 毫歐 @ 2.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4.5A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：8.1nC @ 4V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：813pF @ 10V
功率 - 最大：200mW
安裝類型：表面貼裝

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