中文參數如下：

典型關閉延遲時間：18 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：30 ns
功率耗散：60 W
柵極電荷 Qg：48 nC
下降時間：65 ns
封裝形式：TO-220 SM
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.32 Ohms
漏極連續電流：- 16 A
汲極/源極擊穿電壓：- 100 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SJ412(SM,Q)的詳細信息，包括2SJ412(SM,Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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