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中文參數如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18 歐姆 @ 10mA, 4V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：100mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 1µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：12pF @ 3V
功率 - 最大：100mW
安裝類型：表面貼裝
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