色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > 2SC5949-R(Q)

2SC5949-R(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：
數(shù)量：: 2421
說明：: 兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A

一、本商品被瀏覽0次.

2SC5949-R(Q) PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：100
包裝形式：Bulk
最大功率耗散：220000 mW
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：55 at 1 A at 5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：30 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流：15 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：200 V
集電極—基極電壓 VCBO：200 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SC5949-R(Q)的詳細(xì)信息，包括2SC5949-R(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：