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2SC5200-R(Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-3P
數量:
 2061  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 230V 15A
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2SC5200-R(Q) PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:100
包裝形式:Bulk
最大功率耗散:150 W
直流電流增益 hFE 最大值:160
集電極連續電流:15 A
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:35
增益帶寬產品fT:30 MHz
最大直流電集電極電流:15 A
集電極—射極飽和電壓:230 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:230 V
集電極—基極電壓 VCBO:230 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是2SC5200-R(Q)的詳細信息,包括2SC5200-R(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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