中文參數(shù)如下:
工廠包裝數(shù)量:100
最大功率耗散:1000 mW
封裝形式:PW-MINI
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:160 at 100 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:120 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流:0.8 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V
集電極—基極電壓 VCBO:35 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba
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