點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：150MHz
功率 - 最大值：1 W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：140 @ 100mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：1μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：700mV @ 100mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3 A
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

以上是2SB1202S-E的詳細(xì)信息，包括2SB1202S-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

BCR135SH6327XTSA1

RN2504(TE85L,F)

RN4601(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

EMH61T2R

RN1611(TE85L,F)

RN1705JE(TE85L,F)

RN4607(TE85L,F)

RN1704JE(TE85L,F)

RN1510(TE85L,F)