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2SA2199T2LQ

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: VMN3
數(shù)量：: 5796
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK Q

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2SA2199T2LQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：SOT-923F
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：150 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，3V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：400mV @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

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