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2SA2120-R(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P
數量：: 621
說明：: 兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 12A

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2SA2120-R(Q) PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：50
包裝形式：Bulk
最大功率耗散：200000 mW
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：55 at 1 A at 5 V
增益帶寬產品fT：25 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流：12 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：200 V
集電極—基極電壓 VCBO：200 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA2120-R(Q)的詳細信息，包括2SA2120-R(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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