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2SA2029T2LR

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: VMT3
數量：: 7570
說明：: 兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR PNP GEN. PURPOSE HFE RANK 'R'

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2SA2029T2LR PDF參數資料

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中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：SOT-723
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：140MHz
功率 - 最大值：150 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1mA，6V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：150 mA
晶體管類型：PNP
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是2SA2029T2LR的詳細信息，包括2SA2029T2LR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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