色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > 2SA1962-O(Q,T)

2SA1962-O(Q,T)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P
數量：: 1027
說明：: 兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 230V 15A

一、本商品被瀏覽0次.

2SA1962-O(Q,T) PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：50
最大功率耗散：130 W
集電極連續電流：- 15 A
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：35
增益帶寬產品fT：30 MHz
最大直流電集電極電流：15 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 230 V
集電極—基極電壓 VCBO：230 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA1962-O(Q,T)的詳細信息，包括2SA1962-O(Q,T)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：