點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-3PL
安裝類(lèi)型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：30MHz
功率 - 最大值：150 W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 1A，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：5μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：3V @ 800mA，8A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：230 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：15 A
晶體管類(lèi)型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤(pán)
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是2SA1943-O(Q)的詳細(xì)信息，包括2SA1943-O(Q)廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

RN1510(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

DCX115EU-7-F

RN1606(TE85L,F)

EMD2FHAT2R

EMH3FHAT2R

PRMD10Z

PRMD13Z

EMH9FHAT2R

RN2505TE85LF