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2N7002E-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數量：: 25518
說明：: MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V

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2N7002E-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3圖片

2N7002E-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：2N7002E-GE3
典型關閉延遲時間：18 ns
工廠包裝數量：3000
功率耗散：0.35 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：0.4 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：0.6 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3 Ohms
漏極連續電流：0.24 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是2N7002E-T1-GE3的詳細信息，包括2N7002E-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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