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2N7000,126

廠家：
  NXP Semiconductors
封裝：
 TO-92-3
數量：
 3798  
說明：
 MOSFET TRENCH 31V-99V G2
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2N7000,126-TO-92-3圖片

2N7000,126 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
功率耗散：830 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Ammo Pack
封裝形式：SOT-54
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5000 mOhms
漏極連續電流：0.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：NXP

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