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中文參數如下：
包裝形式：Box
最大功率耗散：65000 mW
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
增益帶寬產品fT：20 MHz
最大直流電集電極電流：8 A
集電極—發射極最大電壓 VCEO：40 V
集電極—基極電壓 VCBO：40 V
晶體管極性：NPN
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
以上是2N6386的詳細信息，包括2N6386廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
