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中文參數如下：
工廠包裝數量：400
包裝形式：Box
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：40 W
集電極連續電流：0.45 A
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20
增益帶寬產品fT：2.5 MHz
最大直流電集電極電流：4 A
集電極—射極飽和電壓：80 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：NPN
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
以上是2N6123的詳細信息，包括2N6123廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
