中文參數如下：
包裝形式：Bulk
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集電極連續電流：0.2 A
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 1 mA at 5 V
最大直流電集電極電流：0.2 A
集電極—射極飽和電壓：100 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：100 V
集電極—基極電壓 VCBO：120 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是2N5830_Q的詳細信息，包括2N5830_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
