色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > 2N5551TAR_Q

2N5551TAR_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92
數量：: 8388
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

一、本商品被瀏覽0次.

2N5551TAR_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集電極連續電流：0.6 A
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：80 at 1 mA at 5 V
增益帶寬產品fT：300 MHz
最大直流電集電極電流：0.6 A
集電極—射極飽和電壓：180 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：160 V
集電極—基極電壓 VCBO：180 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N5551TAR_Q的詳細信息，包括2N5551TAR_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：