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2N5401CYTA

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92-3
數(shù)量:
 7878  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose
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2N5401CYTA PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:2000
包裝形式:Ammo
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
直流電流增益 hFE 最大值:240
集電極連續(xù)電流:- 600 mA
封裝形式:TO-92-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:30 at 1 mA at 5 V, 60 at 10 mA at 5 V, 50 at 50 mA at 5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:400 MHz
最大直流電集電極電流:0.6 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:150 V
集電極—基極電壓 VCBO:160 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N5401CYTA的詳細信息,包括2N5401CYTA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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