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2N5115

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 
數量:
 8880  
說明:
 JFET 30V 10pA
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2N5115-圖片

2N5115 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝:TO-18
封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
安裝類型:通孔
工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ)
功率 - 最大值:500 mW
電阻 - RDS(On):100 Ohms
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V
不同 Id 時電壓 - 截止 (VGS off):3 V @ 1 nA
漏極電流 (Id) - 最大值:-
不同 Vds (Vgs=0) 時電流 - 漏極 (Idss):15 mA @ 15 V
漏源電壓(Vdss):30 V
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):30 V
FET 類型:P 通道
產品狀態:停產
包裝:-
系列:散裝
品牌:Central Semiconductor Corp

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