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中文參數如下：
工廠包裝數量：2000
包裝形式：Box
直流電流增益 hFE 最大值：150
封裝形式：TO-18
安裝風格：Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min：60
增益帶寬產品fT：300 MHz
集電極—射極飽和電壓：50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：過渡期間
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
以上是2N4014的詳細信息，包括2N4014廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
