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中文參數如下：
工廠包裝數量：20
包裝形式：Sleeve
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：150000 mW
封裝形式：TO-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：15
增益帶寬產品fT：4 MHz
最大直流電集電極電流：16 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：140 V
集電極—基極電壓 VCBO：160 V
晶體管極性：NPN
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
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