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中文參數如下:
工廠包裝數量:500
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:800 mW
直流電流增益 hFE 最大值:35
封裝形式:TO-39
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:20
最大直流電集電極電流:1.2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:80 V
集電極—基極電壓 VCBO:120 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:過渡期間
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是2N3036的詳細信息,包括2N3036廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!