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1N4007 TR

廠家：: Central Semiconductor Corp
封裝：: DO-41
數量：: 2763
說明：: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

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1N4007 TR PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：DO-41
封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 1000 V
反向恢復時間 (trr)：-
速度：標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1000 V
技術：標準
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Central Semiconductor Corp

以上是1N4007 TR的詳細信息，包括1N4007 TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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