| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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ULN2003AFWG(5,EL,M | Toshiba | SOP-16 | 達(dá)林頓晶體管 7CH. 50V/.5A IFD IC | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V，最大直流電集... | ||||||
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ULN2003AFWG(5,M) | Toshiba | 達(dá)林頓晶體管 7CH. 50V/.5A IFD IC | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，工廠包裝數(shù)量：2000，... | ||||||
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ULN2003AFWG(O,EL,M | Toshiba | 達(dá)林頓晶體管 7-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
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ULN2003AFWG(O,M) | Toshiba | 達(dá)林頓晶體管 7-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
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ULN2003AFWG(O,NEHZ | Toshiba | 達(dá)林頓晶體管 Darlington 500mA 2.7kOhm 1000 HFE | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，包裝形式：Reel，... | ||||||
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ULN2003AFWG(ONEHZA | Toshiba | 達(dá)林頓晶體管 INTERFACE DRIVER PB-FREE W / TTL | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，... | ||||||
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ULN2003AFWG(SC,ELM | Toshiba | SOP-16 | 達(dá)林頓晶體管 7CH. 50V/.5A IFD IC | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V，最大直流電集... | ||||||
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ULN2003AFWG(SC,M) | Toshiba | SOP-16 | 達(dá)林頓晶體管 7CH. 50V/.5A IFD IC | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V，最大直流電集... | ||||||
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ULN2003AID | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIDE4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIDG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIDR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 26,762 | 達(dá)林頓晶體管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array | |
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIDRE4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIDRG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIN | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 達(dá)林頓晶體管 HiVltg Hi-Current Darl Trans Array | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AINE4 | Texas Instruments | 達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
| 參數(shù)：Texas Instruments|管件|*|在售|... | ||||||
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ULN2003AINSR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） | 達(dá)林頓晶體管 HI-VLTG,HI-CURRENT DAR TRANSISTOR ARRAY | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIPW | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | 達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIPWE4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | 達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIPWG4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | 2341 | 達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：達(dá)林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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