| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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VQ1000J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET QD 60V 0.225A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.225 A... | ||||||
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VQ1000P | Vishay/Siliconix | TO-226AA-14 | MOSFET QD 60V 0.225A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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VQ1000P-E3 | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET N-CH 60V 0.225A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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VQ1001J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET QD 30V 0.83A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.83 A，... | ||||||
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VQ1001P | Vishay/Siliconix | 14-DIP | MOSFET QD 30V 0.53A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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VQ1004J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET QD 60V 0.46A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.46 A，... | ||||||
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VQ1004P | Vishay/Siliconix | - | MOSFET QD 60V 0.46A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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VQ1006P | Vishay/Siliconix | 14-DIP | MOSFET 90V QUAD N-CHANNEL MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：90 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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VQ2001J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET Quad 30V 0.6A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.6 A，電... | ||||||
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VQ2001P | Vishay/Siliconix | - | MOSFET Quad 30V 0.6A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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VQ2004J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET Quad 60V 0.41A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.41 ... | ||||||
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VQ3001J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET 30V 0.85/0.6A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0... | ||||||
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VQ3001P | Vishay/Siliconix | SBCDIP-14 | MOSFET DUAL N & P CH 30V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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VP0104N3 | Supertex | TO-92 | MOSFET 40V 8Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Supertex，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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VP0104N3-G | Supertex | TO-92-3 | 1811 | MOSFET 40V 8Ohm | |
| 參數(shù)：制造商：Supertex，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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VP0104N3-GP002 | Supertex | TO-92-3 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Supertex，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.25 A，電阻汲極/... | ||||||
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VP0104N3-GP003 | Supertex | TO-92-3 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Supertex，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.25 A，電阻汲極/... | ||||||
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VP0104N3-GP013 | Supertex | TO-92-3 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Supertex，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.25 A，電阻汲極/... | ||||||
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VP0104N3-GP014 | Supertex | TO-92-3 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Supertex，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.25 A，電阻汲極/... | ||||||
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VP0104N3-P002 | Supertex | TO-92 | MOSFET 40V 8Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Supertex，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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