| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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PSMN1R2-30YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 1,460 | MOSFET N-Ch 30V 1.25mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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PSMN1R3-30YL,115 | NXP Semiconductors | SOT-1023，4-LFPAK | 1,400 | MOSFET N-CH 30V 1.3 mOhm Logic Level MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 R... | ||||||
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PSMN1R5-25YL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TRENCHMOS Logic level FET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 R... | ||||||
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PSMN1R5-30YL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CHAN 30V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極... | ||||||
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PSMN1R5-30YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 675 | MOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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PSMN1R5-40ES,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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PSMN1R5-40PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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PSMN1R6-30BL,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET Std N-chanMOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極... | ||||||
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PSMN1R6-30PL,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CH 30V 1.7 mOhm Logic Level MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 R... | ||||||
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PSMN1R7-25YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 25V 1.9 mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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PSMN1R7-30YL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 1,500 | MOSFET <=30V N CH TRENCHFET | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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PSMN1R7-60BS | NXP Semiconductors | MOSFET Std N-chanMOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
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PSMN1R7-60BS,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET Std N-chanMOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極... | ||||||
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PSMN1R8-30BL,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 7 | MOSFET Std N-chanMOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極... | ||||||
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PSMN1R8-30PL,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 188 | MOSFET N-CHAN 30V 100A | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極... | ||||||
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PSMN1R9-25YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 25V 2.05 mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極... | ||||||
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PSMN2R0-30BL,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET Std N-chanMOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極... | ||||||
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PSMN2R0-30PL,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CH 30V 2.1 mOhm Logic Level MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 R... | ||||||
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PSMN2R0-30YL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 7,500 | MOSFET <=30V N CH TRENCHFET | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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PSMN2R0-60ES,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | 2 | MOSFET N-Ch 60V 2.2 mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極... | ||||||
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