| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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GB50XF120K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 75 Amp 1200 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1... | ||||||
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GB50XF60K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 80 Amp 600 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：6... | ||||||
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GA200HS60S1 | Vishay Semiconductors | INT-A-PAK | IGBT 模塊 200 Volt 200 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：... | ||||||
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GA200TS60UPBF | Vishay Semiconductors | INT-A-PAK | IGBT 模塊 600 Volt 200 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：... | ||||||
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GA200TS60UX | Vishay Semiconductors | INT-A-PAK | IGBT 模塊 600 Volt 200 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：... | ||||||
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GB10XF120K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 20 Amp 1200 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1... | ||||||
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GB15RF120K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 25 Amp 1200 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發(fā)射極最大電壓 VC... | ||||||
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GB15RF60K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 25 Amp 600 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發(fā)射極最大電壓 VC... | ||||||
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GB15XF120K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 25 Amp 1200 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1... | ||||||
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GB20RF60K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 30 Amp 600 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發(fā)射極最大電壓 VC... | ||||||
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GB20XF60K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 30 Amp 600 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：6... | ||||||
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GB25RF120K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發(fā)射極最大電壓 VC... | ||||||
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GB25XF120K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1... | ||||||
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GB30RF60K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 50 Amp 600 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發(fā)射極最大電壓 VC... | ||||||
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GB30XF60K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | 6 | IGBT 模塊 50 Amp 600 Volt Non-Punch Through | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：6... | ||||||
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GB35XF120K | Vishay Semiconductors | - | IGBT 模塊 50 Amp 1200 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1... | ||||||
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GB50RF60K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 80 Amp 600 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發(fā)射極最大電壓 VC... | ||||||
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GB75XF60K | Vishay Semiconductors | Econo 2 | IGBT 模塊 100 Amp 600 Volt Non-Punch Through | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：6... | ||||||
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GA300ABPL12 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 模塊 1200V 300A Phase Leg IGBT Module | |||
| 參數(shù)：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，包裝形式：Bulk，... | ||||||
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227 | IGBT 模塊 1200V 100A SIC IGBT CoPak | ||
| 參數(shù)：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：IGBT-Inverter，集電極—發(fā)射... | ||||||
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