| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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2PS8012LC4G27330 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM75GB120DLC | Infineon Technologies | 34MM | IGBT 模塊 1200V 75A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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BSM75GB120DN2 | Infineon Technologies | Half Bridge1 | IGBT 模塊 1200V 75A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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BSM75GB120DN2_E3223 | Infineon Technologies | 34MM | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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BSM75GB120DN2_E3223c-Se | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM75GB170DN2 | Infineon Technologies | 34MM | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 110A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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BSM75GB60DLC | Infineon Technologies | 34MM | 252 | IGBT 模塊 600V 75A DUAL | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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BSM75GD120DLC | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 125A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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BSM75GD120DN2 | Infineon Technologies | EconoPACK 3A | 6 | IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO... | ||||||
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BSM75GD60DLC | Infineon Technologies | EconoPACK 2A | IGBT 模塊 600V 75A 3-PHASE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO... | ||||||
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BSM75GP60 | Infineon Technologies | Econo PIM3 | IGBT 模塊 600V 75A PIM | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO... | ||||||
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BSM300GA160DN13C_B7 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1600V 300A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM300GA160DN13C_E3212 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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BSM300GA170DL | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 600A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：170... | ||||||
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BSM300GA170DLC | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 900V 300A IGBT MODULE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，... | ||||||
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BSM300GA170DLS | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 600A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集電極—發(fā)... | ||||||
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BSM300GA170DN2 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 440A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：170... | ||||||
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BSM300GA170DN2_E3166 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 440A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：170... | ||||||
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BSM300GA170DN2S | Infineon Technologies | Single Switch Sense | IGBT 模塊 1700V 300A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 V... | ||||||
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BSM300GA170DN2S_E3256 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 300A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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