| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
F12-25R12KT4G | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 25A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
F12-35R12KT4G | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 35A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
MID100-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模塊 100 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MID145-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模塊 145 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MID150-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模塊 150 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MID200-12A4 | Ixys | Y3-DCB | 2 | IGBT 模塊 200 Amps 1200V | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MID300-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模塊 300 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MID400-12E4 | Ixys | Y3-Li | IGBT 模塊 400 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MID400-12E4T | Ixys | Y3-Li | IGBT 模塊 400 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MID550-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模塊 550 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MID75-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模塊 75 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MIO1200-25E10 | Ixys | E10 | IGBT 模塊 1200 Amps 2500V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：1，... | ||||||
|
|
MIO1200-33E10 | Ixys | E10 | IGBT 模塊 1200 Amps 3300V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：1，... | ||||||
|
|
MIO1200-33E11 | Ixys | E11 | IGBT 模塊 1200 Amps 3300V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：1，... | ||||||
|
|
MIO1500-25E10 | Ixys | E10 | IGBT 模塊 1500 Amps 2500V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：1，... | ||||||
|
|
MIO1800-17E10 | Ixys | E10 | IGBT 模塊 1800 Amps 1700V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：1，... | ||||||
|
|
MIO2400-17E10 | Ixys | E10 | IGBT 模塊 2400 Amps 1700V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：1，... | ||||||
|
|
MIO600-65E11 | Ixys | E11 | IGBT 模塊 600 Amps 6500V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：1，... | ||||||
|
|
MITA30WB600TMH | Ixys | MiniPack2 | IGBT 模塊 CBI IGBT MODULES IN MINIPACK 2 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，封裝形式：MiniPack 2，包裝形式：Box，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，工廠... | ||||||
|
|
MDI100-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模塊 100 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
26/87 首頁 上頁 [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] 下頁 尾頁
