| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF1400R12IP4 | Infineon Technologies | PRIME3 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 1.4KA | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極... | ||||||
|
|
FF150R12KE3_B8 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF150R12KE3G | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 1200V 150A DUAL | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... | ||||||
|
|
FF150R12KE3G_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，工廠包裝數量：10，... | ||||||
|
|
FF150R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 1200V 150A DUAL | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... | ||||||
|
|
FF150R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，工廠包裝數量：10，... | ||||||
|
|
FF150R12KT3G | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極... | ||||||
|
|
FF150R12ME3G | Infineon Technologies | EconoDUAL-3 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 200A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：... | ||||||
|
|
FF150R12MS4G | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極... | ||||||
|
|
FF150R12MT4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極... | ||||||
|
|
FF150R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF150R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 20 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 200A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極... | ||||||
|
|
FF150R17ME3G | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 240A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續集電極... | ||||||
|
|
FF200R06KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 600V 260A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集電極電... | ||||||
|
|
FF200R06ME3 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 600V 200A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF200R06YE3 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 600V 200A | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集電極電... | ||||||
|
|
FF200R06YE3ENG | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
|
|
FF1000R17IE4 | Infineon Technologies | PRIME3 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.39KA | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續集電極... | ||||||
|
|
FF1000R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 1000A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF100R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 1200V 100A DUAL | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... | ||||||
18/87 首頁 上頁 [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] 下頁 尾頁
