| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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TR3C685M035E0475 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 6.8uF 35volts 20% C case ESR 0.475 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：否，電容：6.8 uF，電壓額定值：35 V，ESR：0.475 Ohms，容差：20 %，外... | ||||||
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TR3C685M035F0475 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 6.8uF 35volts 20% C case ESR 0.475 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：否，電容：6.8 uF，電壓額定值：35 V，ESR：0.475 Ohms，容差：20 %，外... | ||||||
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TR3C686K004C0275 | Vishay/Sprague | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 4volts 10% C case ESR 0.275 Mld | |||
| 參數：Vishay Sprague|卷帶（TR）|TANTAMOUNT, TR3|在售|68 μF|±10%|4 V|模制|275 毫歐|-55°C ~ 125°C|... | ||||||
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TR3C686K004D0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 4volts 10% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：是，電容：68 uF，電壓額定值：4 V，ESR：0.275 Ohms，容差：10 %，外殼代... | ||||||
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TR3C686K004E0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 4volts 10% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：否，電容：68 uF，電壓額定值：4 V，ESR：0.275 Ohms，容差：10 %，外殼代... | ||||||
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TR3C686K004F0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 4volts 10% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：否，電容：68 uF，電壓額定值：4 V，ESR：0.275 Ohms，容差：10 %，外殼代... | ||||||
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TR3C686K010C0225 | Vishay/Sprague | 436 | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 10volts 10% C case ESR 0.225 Mld | ||
| 參數：Vishay Sprague|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|TANTAMOUNT, TR3|在售|68 μF|±10%|10 ... | ||||||
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TR3C686K010C0275 | Vishay/Sprague | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 10volts 10% C case ESR 0.275 Mld | |||
| 參數：Vishay Sprague|卷帶（TR）|TANTAMOUNT, TR3|在售|68 μF|±10%|10 V|模制|275 毫歐|-55°C ~ 125°C... | ||||||
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TR3C686K010D0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 10volts 10% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：是，電容：68 uF，電壓額定值：10 V，ESR：0.275 Ohms，容差：10 %，外殼... | ||||||
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TR3C686K010E0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 10volts 10% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：否，電容：68 uF，電壓額定值：10 V，ESR：0.275 Ohms，容差：10 %，外殼... | ||||||
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TR3C686K010F0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 10volts 10% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：否，電容：68 uF，電壓額定值：10 V，ESR：0.275 Ohms，容差：10 %，外殼... | ||||||
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TR3C686K6R3C0200 | Vishay/Sprague | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 6.3volts 10% C cs ESR 0.2 Molded | |||
| 參數：Vishay Sprague|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|TANTAMOUNT, TR3|在售|68 μF|±10%|6.3... | ||||||
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TR3C686K6R3C0275 | Vishay/Sprague | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 6.3volts 10% C case ESR 0.275 Mld | |||
| 參數：Vishay Sprague|卷帶（TR）|TANTAMOUNT, TR3|在售|68 μF|±10%|6.3 V|模制|275 毫歐|-55°C ~ 125°... | ||||||
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TR3C686K6R3D0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 6.3volts 10% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：是，電容：68 uF，電壓額定值：6.3 V，ESR：0.275 Ohms，容差：10 %，外... | ||||||
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TR3C686K6R3E0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 6.3volts 10% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：否，電容：68 uF，電壓額定值：6.3 V，ESR：0.275 Ohms，容差：10 %，外... | ||||||
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TR3C686K6R3F0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 6.3volts 10% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：否，電容：68 uF，電壓額定值：6.3 V，ESR：0.275 Ohms，容差：10 %，外... | ||||||
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TR3C686M004C0275 | Vishay/Sprague | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 4volts 20% C case ESR 0.275 Mld | |||
| 參數：Vishay Sprague|卷帶（TR）|TANTAMOUNT, TR3|在售|68 μF|±20%|4 V|模制|275 毫歐|-55°C ~ 125°C|... | ||||||
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TR3C686M004D0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 4volts 20% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：是，電容：68 uF，電壓額定值：4 V，ESR：0.275 Ohms，容差：20 %，外殼代... | ||||||
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TR3C686M004E0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 4volts 20% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：否，電容：68 uF，電壓額定值：4 V，ESR：0.275 Ohms，容差：20 %，外殼代... | ||||||
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TR3C686M004F0275 | Vishay/Sprague | 2412 (6032 metric) | 鉭質電容器-固體SMD 68uF 4volts 20% C case ESR 0.275 Mld | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：鉭質電容器-固體SMD，RoHS：否，電容：68 uF，電壓額定值：4 V，ESR：0.275 Ohms，容差：20 %，外殼代... | ||||||
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