Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4974DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4980DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4980DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3.7 A，電... | ||||||
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SI4980DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3.7 A，電... | ||||||
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SI4980DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4980DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2.0W 75mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4982DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：2.6 A，... | ||||||
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SI4982DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4982DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：2.6 A，... | ||||||
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SI4982DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4982DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4992EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 75V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4992EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 75V 4.8A 2.4W 48mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3831DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 7.0V 2.4A 1.5W 170mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SI3831DV-GE3，... | ||||||
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SI3850ADV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.4/0.96A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI3850ADV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.4/0.96A 1.08W 300/410mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI3850DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 1.2/0.85A | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續... | ||||||
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SI3851DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3851DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3851DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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