Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4965DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/... | ||||||
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SI4965DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/... | ||||||
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SI4965DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI4965DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI4965DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 8.0V 8.0A 2.0W 21mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI4966DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：7.1 A，電... | ||||||
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SI4966DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：7.1 A，電... | ||||||
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SI4966DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4966DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4966DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4967DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：7.5 A，電阻... | ||||||
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SI4967DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4967DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：7.5 A，電阻... | ||||||
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SI4967DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4967DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 7.5A 2.0W 23mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4971DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.2A 1.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI4972DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4972DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 10.8/7.2A 14.5/26.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4973DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET P-CHANNEL 25V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI4973DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.6A 2.0W 23mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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