Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4936BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 14,775 | MOSFET 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 2,712 | MOSFET 30V 5.8A 2.3W 40mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.8A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5.8 A，電... | ||||||
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SI4936DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 5.8 Amp 2.0W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4940DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：4.2 A，電... | ||||||
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SI4940DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：4.2 A，電... | ||||||
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SI4940DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：4.2 A，電... | ||||||
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SI4940DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4940DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4941EDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL P-CH 30V(D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4942DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 40V 7.4A 1.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4942DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4942DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4943BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.4A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4943BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4943CDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.0A 3.1W 19.2mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.0A 3.1W 19.2mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4943DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 8.4A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：6.3 A，電... | ||||||
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SI4943DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 8.4A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：6.3 A，電... | ||||||
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SI4943DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20 Volt 8.4 Amp 2.0W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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