Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SQ3426EEV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 60V 7A 5W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：2.5 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SQ3427EEV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 60V 5.5A 5W P-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SQ3442EV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 4.3A 1.7W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SQ3456BEV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | 240 | MOSFET 30V 7.8A 4W N-Ch Automotive | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQ3456EV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 8A 4W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQ3460EV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | 230 | MOSFET 20V 8A 3.6W N-Ch Automotive | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SQ3469EV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 8A 5W P-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SQ4401DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | 10000 | MOSFET 40V 8.7A 1.8W 14mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQ4401EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 17.3A 7.14W P-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SQ4410EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 15A 5W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：15 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQ4431EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 10.8A 6W P-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 10.8 A，電... | ||||||
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SQ4470EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 16A 7.1W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：16 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQ4840EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 40V 10A 1.56W 9.0mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQ4850EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 12A 6.8W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：12 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQ4920EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 8A 4.4W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：7.2 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SQ4936EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7A 3.3W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：7 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SQ4942EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 8A 4.4W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：8 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SQ4946AEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 7A 4W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SQ4946EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 4.5A 2.4W 55mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQ7414EN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | 7605 | MOSFET 60V 5.6A 1.5W 25mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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