Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 40V 32A 83W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：32 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQJ456EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 100V 32A 83W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：32 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQJ460EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 60V 32A 83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SQJ461EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 60V 30A 83W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- 30 A，電阻汲... | ||||||
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SQJ463EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- 30 A，電阻汲... | ||||||
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SQJ469EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 80V 32A 100W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- 32 A，電阻汲... | ||||||
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SQJ840EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 30V 30A 46W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：30 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQJ844EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 30V 8A 48W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SQJ848EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 40V 30A 68W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQJ850EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 60V 24A 45W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：24 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQJ912EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQJ941EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 30V 8A 55W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- 8 A，電阻汲極... | ||||||
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SQJ960EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L Dual | MOSFET 60V 8A 34W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SQJ962EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 60V 8A 25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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SQJ964EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 60V 8A 35W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SQJ970EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SQM85N03-06P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 30V 60A 100W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQM85N10-10-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQM85N15-19-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQM100N04-3M5-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 40V 100A 157W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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