Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SUD40N04-10A-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 40V 40A 71W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD40N06-25L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 20A 75W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD40N06-25L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 20A 75W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD40N08-16 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 80V 40A 100W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：40 A，電阻... | ||||||
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SUD40N08-16-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 21,553 | MOSFET 80V 40A 100W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD40N10-25 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 100V 40A 33W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD40N10-25-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V 40A 33W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD42N03-3M9P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：107 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.... | ||||||
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SUD45N05-20L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 50V 30A 75W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD45N05-20L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 50V 30A 75W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD45P03-10 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 30V 15A 70W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD45P03-10-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 30V 15A 70W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD45P03-15 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 30V 13A 70W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD45P03-15A | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 30V 13A 70W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD45P03-15A-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 30V 13A 70W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD45P03-15-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 30V 13A 70W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50N02-04P | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 20V 34A 8.3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50N02-04P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 20V 34A 8.3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50N02-06 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 20V 30A 100W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SUD50N02-06-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 20V 30A 100W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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