Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SUD25N04-25 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 40V 25A 33W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD25N04-25-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 40V 25A 33W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD25N06-45L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 25A 50W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD25N06-45L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 25A 50W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD25N15-52 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 150V 25A 136W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD25N15-52-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 917 | MOSFET 150V 25A 136W 52mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD30N03-30 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 30V 30A 50W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD30N03-30-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 30V 30A 50W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD30N04-10 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 40V 30A 97W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD30N04-10-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 40V 30A 97W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD35N05-26L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 55V 35A 50W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD35N05-26L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 55V 35A 50W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD35N10-26P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD35N10-26P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 1,276 | MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD40N02-08 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 20V 40A 71W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SUD40N02-08-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 20V 40A 71W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SUD40N02-3M3P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 20V 40A 79W 3.3mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD40N03-18P | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 30V 40A 62.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD40N03-18P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 30V 40A 62.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD40N04-10A | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 40V 40A 71W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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