Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7856ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7858ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7858ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7860ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7860ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 16A 4.8W 9.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7860DP-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET N-Ch 30V 18A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7860DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7860DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7860DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7862ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：16 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7862ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：16 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7864ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 20V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7864ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 20V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7866ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 0.0024Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7866ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 83W 2.4mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7866DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 20V 29A 5.4W 2.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SI7868ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI7868ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 40A 83W 2.25mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI7872DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 10A 1.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V, +... | ||||||
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SI7872DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 30V 10A 0.022Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V, +... | ||||||
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