Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SUP40N06-25L | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 60V 40A 90W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUP40N06-25L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 60V 40A 90W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUP40N10-30-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUP40N25-60-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 250V 40A 300W 60mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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SUP45N03-13L | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 30V 45A 88W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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SUP45N03-13L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 30V 45A 88W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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SUP45N05-20L | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 50V 45A 93W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUP45N05-20L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 50V 45A 93W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUP50N03-5M1P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 30V 50A N-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：50 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SUP53P06-20-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 640 | MOSFET 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SUP57N20-33 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 200V 57A 300W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUP57N20-33-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 390 | MOSFET 200V 57A 300W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUP60N02-4M5P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 20V 60A 120W 4.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUP60N06-12P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUP60N06-12P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUP60N06-18 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 60V 60A 120W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUP60N06-18-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 60V 60A 120W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUP60N10-16L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 100V 60A 150W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUP60N10-18P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：60 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SUP65P04-15 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 40V 65A 120W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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