Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SPP08P06PG | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET P-KANAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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SPP11N60C3 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續(xù)電流：11 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.38 Ohms，最大工作溫度... | ||||||
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SPP11N60S5 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET COOL MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續(xù)電流：11 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.38 Ohms，最大工作溫度... | ||||||
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SPP11N65C3 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：11 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.3... | ||||||
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SPP11N80C3 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET COOL MOS N-CH 800V 11A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI07N60C3 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI07N60S5 | Infineon Technologies | TO-262 | 100 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 7.3A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI07N65C3 | Infineon Technologies | TO-262 | 359 | MOSFET COOL MOS N-CH 730V 7.3A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI07N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | TO-262-3 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：7.3 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.... | ||||||
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SPI08N50C3 | Infineon Technologies | TO-262 | 106 | MOSFET COOL MOS N-CH 560V 7.6A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：560 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI08N80C3 | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET COOL MOS N-CH 800V 8A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI10N10L | Infineon Technologies | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI11N60C3 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI11N60CFD | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.44 Ohms | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI11N60S5 | Infineon Technologies | TO-262 | 341 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI11N65C3 | Infineon Technologies | TO-262 | 69 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPI12N50C3 | Infineon Technologies | TO-262 | 9 | MOSFET COOL MOS N-CH 560V 11.6A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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