| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數量 |
描述 |
PDF資料 |
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MIO1200-33E11 |
Ixys |
E11 |
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IGBT 模塊 1200 Amps 3300V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：1，... |
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MIO1500-25E10 |
Ixys |
E10 |
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IGBT 模塊 1500 Amps 2500V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：1，... |
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MIO1800-17E10 |
Ixys |
E10 |
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IGBT 模塊 1800 Amps 1700V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：1，... |
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MIO2400-17E10 |
Ixys |
E10 |
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IGBT 模塊 2400 Amps 1700V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：1，... |
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MIO600-65E11 |
Ixys |
E11 |
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IGBT 模塊 600 Amps 6500V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：1，... |
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MITA30WB600TMH |
Ixys |
MiniPack2 |
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IGBT 模塊 CBI IGBT MODULES IN MINIPACK 2 |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，封裝形式：MiniPack 2，包裝形式：Box，安裝風格：SMD/SMT，工廠... |
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MDI100-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
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IGBT 模塊 100 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MDI145-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
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IGBT 模塊 145 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MDI150-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
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IGBT 模塊 150 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MDI200-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
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IGBT 模塊 200 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MDI300-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
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IGBT 模塊 300 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MDI400-12E4 |
Ixys |
Y3-Li |
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IGBT 模塊 400 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MDI550-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
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IGBT 模塊 550 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MDI75-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
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IGBT 模塊 75 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MKI100-12E8 |
Ixys |
E3 |
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IGBT 模塊 IGBT (NPT3) |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續... |
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MKI100-12F8 |
Ixys |
E3 |
5 |
IGBT 模塊 100 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：5，... |
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MKI50-06A7 |
Ixys |
E2 |
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IGBT 模塊 50 Amps 600V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... |
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MKI50-12F7 |
Ixys |
E2 |
6 |
IGBT 模塊 50 Amps 1200V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，包裝形式：Bulk，工廠包裝數量：6，... |
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MKI75-06A7 |
Ixys |
E2 |
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IGBT 模塊 75 Amps 600V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... |
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MKI75-06A7T |
Ixys |
E2 |
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IGBT 模塊 75 Amps 600V |
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| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... |
