Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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FS15R06VE3 | Infineon Technologies | EASY750 | IGBT 模塊 N-CH 600V 22A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
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FS15R06VE3_B2 | Infineon Technologies | Module | 25 | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：IGBT-Inverter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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FS15R06VL4_B2 | Infineon Technologies | EASY750 | IGBT 模塊 N-CH 600V 20A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
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FS15R06XE3 | Infineon Technologies | EASY1 | IGBT 模塊 N-CH 600V 22A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
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FS15R06XL4 | Infineon Technologies | EASY1 | 9 | IGBT 模塊 N-CH 600V 20A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的... | ||||||
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FS15R12VT3 | Infineon Technologies | EASY750 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 24A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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FS15R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 1 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 25A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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FS25R12KE3G | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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FS25R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 2 | 8 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C... | ||||||
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FS25R12NT3 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，工廠包裝數(shù)量：16，... | ||||||
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FS25R12W1T4 | Infineon Technologies | EASY1B | 22 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 45A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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FS25R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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FS300R12KE3 | Infineon Technologies | EconoPACK+ | 3 | IGBT 模塊 1200V 300A 3-PHASE | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO... | ||||||
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FS300R12KE4 | Infineon Technologies | EconoPP | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 450A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C... | ||||||
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FS300R12KF4 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 1200V 300A 6-PACK | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO... | ||||||
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FS300R16KF4 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模塊 1600V 300A F/DIODE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO... | ||||||
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FS300R17KE3 | Infineon Technologies | EconoPACK+ | IGBT 模塊 1700V 300A 3-PHASE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO... | ||||||
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FS300R17KE4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 300A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FS30R06VE3 | Infineon Technologies | EASY750 | 31 | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
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FS30R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模塊 N-CH 600V 45A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電極電流... | ||||||
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