Infineon Technologies
|
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FZ1800R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 2.85KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續(xù)集... | ||||||
|
|
FZ1800R17KF4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.8KA | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitter Common Gate，集電極—發(fā)射... | ||||||
|
|
FZ1800R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 2.9KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitter Common Gate，集電極—發(fā)射... | ||||||
|
|
FZ1800R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 1700V 1800A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitte... | ||||||
|
|
FZ200R65KF1 | Infineon Technologies | IHV73 | IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 400A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集電極—發(fā)... | ||||||
|
|
FZ200R65KF2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 6500V 200A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FZ2400R12HE4_B9 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 2400A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FZ2400R12HP4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 2400A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FZ2400R12HP4_B9 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 2400A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FZ600R12KE4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FZ600R12KP4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FZ600R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 700A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電... | ||||||
|
|
FZ600R17KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.07KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：170... | ||||||
|
|
FZ600R65KF1 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 6500V 600A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitte... | ||||||
|
|
FZ600R65KF2 | Infineon Technologies | IHV190 | IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 600A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：6300 V，在25 C的連續(xù)集... | ||||||
|
|
FZ750R65KE3 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 6500V 750A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FZ800R12KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | 10 | IGBT 模塊 1200V 800A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：120... | ||||||
|
|
FZ800R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1200V 800A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
|
|
FZ800R12KF5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FZ800R12KL4C | Infineon Technologies | IHM130 | 2 | IGBT 模塊 1200V 800A SINGLE | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
33/51 首頁 上頁 [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] 下頁 尾頁
