Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg)
|
IXGH24N60CD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGH25N100A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1000V 50A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1000 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 2... | ||||||
|
|
IXGH25N120 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH25N120A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 25 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH25N160 | Ixys | TO-247AD | 3 | IGBT 晶體管 75 Amps 1600V 2.5 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
|
IXGH28N120B | Ixys | TO-247-3 | IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，功率耗散：250 W，最大工... | ||||||
|
|
IXGH28N120BD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH28N60B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
|
IXA55I1200HJ | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 XPT 1200V 84A Single IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
|
|
IXBF40N160 | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶體管 40 Amps 1600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1600 V，集電極—射極飽和電壓：6.2 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
|
|
IXBF9N160G | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶體管 9 Amps 1600V 1600V 9A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1600 V，集電極—射極飽和電壓：4.9 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
|
|
IXBH10N170 | Ixys | TO-247AD | 17 | IGBT 晶體管 10 Amps 1700V 2.3 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：2.3 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
|
|
IXBH16N170 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 1700V 25A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，... | ||||||
|
|
IXBH16N170A | Ixys | TO-247AD | 1 | IGBT 晶體管 1700V 16A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，... | ||||||
|
|
IXBN42N170A | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 42 Amps 1700V 6.0 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
|
IXBT10N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 10 Amps 1700V 2.3 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：2.3 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
|
|
IXBT16N170A | Ixys | TO-268AA | 25 | IGBT 晶體管 1700V 16A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，... | ||||||
|
|
IXBT42N170 | Ixys | TO-268AA | 90 | IGBT 晶體管 BIMOSFET 1700V 75A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：2.3 V... | ||||||
|
|
IXBT42N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：6 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V... | ||||||
|
|
IXBT6N170 | Ixys | TO-268AA | 30 | IGBT 晶體管 12 Amps 1700V 3.6 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：2.3 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
12/58 首頁(yè) 上頁(yè) [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] 下頁(yè) 尾頁(yè)
