| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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935121423510-T1N |
IPDiA |
0201 |
200 |
硅電容器 LoProfile SiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150... |
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935121423510-T3N |
IPDiA |
0201 |
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硅電容器 LowProfileSiliconCap 0201 10nF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ... |
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935121424310-T3N |
IPDiA |
0402 |
198 |
硅電容器 LoProfile SiliconCap 0402 100pF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ... |
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935121424347-T3N |
IPDiA |
0402 |
200 |
硅電容器 LoProfile SiliconCap 0402 470pF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ... |
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935121424410-T3N |
IPDiA |
0402 |
145 |
硅電容器 LowProfileSiliconCap 0402 1nF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1000 pF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ... |
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935121424510-T3N |
IPDiA |
0402 |
1837 |
硅電容器 LowProfileSiliconCap 0402 10nF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ... |
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935121424522-T1N |
IPDiA |
0402 |
100 |
硅電容器 LoProfile SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15... |
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935121424522-T3N |
IPDiA |
0402 |
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硅電容器 LoProfile SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15... |
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935121424533-T3N |
IPDiA |
0402 |
177 |
硅電容器 LowProfileSiliconCap 0402 33nF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.033 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150... |
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935121424610-T3N |
IPDiA |
0402 |
1757 |
硅電容器 LowProfileSiliconCap 0402 100nF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C... |
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935121425610-T3N |
IPDiA |
0603 |
975 |
硅電容器 LoProfile SiliconCap 0603 100nF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ... |
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935121427710-T3N |
IPDiA |
1206 |
173 |
硅電容器 LoProfile SiliconCap 1206 1uF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C，... |
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93512142F610-T1A |
IPDiA |
0404 |
198 |
硅電容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ... |
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93512142F610-T3A |
IPDiA |
0404 |
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硅電容器 EmbeddedSiliconCap 0404 100nF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C... |
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93512142H622-T1A |
IPDiA |
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硅電容器 Emb'dSiliconCap 0505 220nF BD11V 100umThk |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，包裝形式：Reel，... |
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93512142H622-T3A |
IPDiA |
0505 |
200 |
硅電容器 EmbeddedSiliconCap 0505 220nF BD 11V |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.22 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ... |
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93512172C510-T1A |
IPDiA |
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硅電容器 Emb'dSiliconCap 0202 10nF BD30V 100um Thk |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，包裝形式：Reel，... |
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93512172C510-T3A |
IPDiA |
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|
硅電容器 Emb'dSiliconCap 0202 10nF BD30V 100um Thk |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，包裝形式：Reel，... |
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93512442F610-T1A |
IPDiA |
0404 |
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硅電容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，... |
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93512442F610-T3A |
IPDiA |
0404 |
|
硅電容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al |
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| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，... |
